高峰對話｜國微芯創(chuàng)新EDA技術閃耀首屆IDAS峰會
9月18日，首屆IDAS設計自動化產(chǎn)業(yè)峰會在武漢隆重舉行，大會以“揚帆”為主題，國內(nèi)外1000多位IC精英共襄盛舉。國微芯執(zhí)行總裁兼CTO白耿先生、研發(fā)經(jīng)理杜杳雋博士分別發(fā)表了主題為《基于Partition的物理驗證分布式處理》和《反演光刻技術--SRAF種子生成及機器學習加速》的演講，展示了國微芯在國內(nèi)IC物理實現(xiàn)和晶圓制造領域領先的EDA技術。
演講亮點回顧
基于Partition的物理驗證分布式處理方案
在白耿先生的演講中，他詳細介紹了國微芯應對不斷增長的版圖和復雜設計規(guī)則所采用的分布式處理方案。該方案將整個芯片設計劃分為多個獨立的Partition，并將它們分配給不同的處理單元，以實現(xiàn)并行處理。國微芯的物理驗證DP（Design Process）結(jié)構(gòu)支持各種環(huán)境和配置，可以運行全部或僅選定的partitions/patches。這種分布式處理方式顯著提升了芯片設計的速度和效率，同時有效降低成本，確保結(jié)果與單機處理一致。此外，國微芯還提供了一系列產(chǎn)品，如EsseDiff、EsseFill、EsseColor、EsseRV、EsseDRC和EsseLVS等，以支持該方案的實施和應用。
分布式處理結(jié)構(gòu)示意圖
OOVF提升分布式方案處理效能
OOVF是國微芯擁有獨立知識產(chǎn)權的面向?qū)ο蟮奈锢眚炞C語言，應用于國微芯的物理驗證分布式處理方案中。
相較于傳統(tǒng)物理驗證語言，OOVF具備簡潔直觀的語法和強大的filter，能夠更加簡單地描述各種幾何對象及其屬性，從而快速篩選符合特定條件的圖形。在分布式處理中，充分利用OOVF可以實現(xiàn)對驗證任務的精確控制，從而提高驗證效率和速度。
反演光刻技術指導SRAF種子生成
SRAF是在掩膜主圖形附近插入的細小圖形，用于優(yōu)化掩膜和生成更好的印刷晶圓圖像，使得最終制造出來的芯片達到局部最優(yōu)的圖形密度。
SRAF生成流程
國微芯采用反演光刻技術（ILT）引導SRAF生成。在ILT算法中，首先基于掩膜的主要圖形生成一個連續(xù)傳輸掩膜（CTM），該CTM能夠準確反映光刻機實際的光傳輸情況。隨后，根據(jù)這個CTM，我們篩選出SRAF的種子，并對它們進行引導，促使它們逐漸生長成完整的SRAFs。
迭代前后EPE（邊緣放置誤差）對比
最后，國微芯還利用機器學習算法對生成的SRAF進行微調(diào)，以得到更好的印刷晶圓圖像質(zhì)量。機器學習算法可以快速推斷出最優(yōu)解，并且可以自適應地調(diào)整參數(shù)以獲得更好的性能，為國內(nèi)的Foundry提供有力的技術支持。
本次IDAS峰會為國微芯提供了一個展示前沿技術的寶貴機會。通過基于Partition的物理驗證分布式處理方案、面向?qū)ο蟮奈锢眚炞C語言（OOVF）以及反演光刻技術的應用，國微芯不僅提高了芯片物理驗證和晶圓制造的效率，還為半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻了獨特的見解和解決方案。國微芯將繼續(xù)探索和創(chuàng)新，推動IC設計和制造領域的不斷進步，以滿足不斷增長的市場需求，為技術發(fā)展揚帆起航。
